SI7615CDN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/20.0V参数3：ID/48.0A参数4：RDON/7.5mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7615CDN-T1-GE3 P沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装设计，旨在优化电路布局并增强散热性能。器件具备20V的额定电压VDSS和高达48A的连续漏极电流ID，确保在大电流环境下的稳定运作。其导通电阻RD(on)低至7.5mΩ，有效降低传导损耗，提升整体工作效率，特别适用于电源转换、电池管理系统等对能效要求高的场景。SI7615CDN-T1-GE3 MOS管，凭借其出色的电流承载能力和低阻特性，成为现代高效能电子设备的优选半导体元件。
