SI7123DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/20.0V参数3：ID/48.0A参数4：RDON/7.5mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7123DN-T1-GE3 P沟道MOS管是一款高性能半导体器件，采用先进的DFN3X3-8L封装技术，实现了空间节省和高效散热。该器件具有20V的额定电压VDSS，并能在满负荷下提供稳定的48A漏极电流ID。尤为突出的是其业界领先的导通电阻RD(on)，仅为7.5mΩ，大幅度提升了系统能效，减少了不必要的功耗。SI7123DN-T1-GE3 MOS管专为高电流应用设计，如电源开关、电池管理系统等，是追求高效能、低损耗解决方案的理想选择。
