IRFHM9331PBF_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/40.0A参数4：RDON/13.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
力荐IRFHM9331PBF P沟道MOSFET，采用现代化DFN3X3-8L封装技术，实现小型化与高效散热。这款器件强大之处在于具有30V的最大耐压值(VDSS)，可持续提供高达40A的工作电流，并配备业界领先的13mΩ导通电阻(RD(on))，大幅度减少能量损耗。适用于广泛的电源转换、电机驱动及高功率应用场合，是优化系统效能和节能降耗的理想半导体元件。
