SI7423DN-T1-E3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/40.0A参数4：RDON/13.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
为您精选SI7423DN-T1-E3 P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为现代高性能电子设备设计，力求空间利用率和热性能的最佳平衡。本器件关键特性包括最高击穿电压VDSS达到30V，可稳定承载40A连续电流，尤其突出的是仅有13mΩ的超低导通电阻，确保高效能、低功耗运行。广泛应用于电源转换、马达驱动以及各种电流控制场合，助您轻松实现电路设计优化与性能升级。
