SI7121ADN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/40.0A参数4：RDON/13.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
热销SI7121ADN-T1-GE3 P沟道MOSFET，采用精巧DFN3X3-8L封装工艺，以实现更高的集成密度和优异散热效果。此款MOS管具备强大参数额定电压VDSS为30V，可承受最大连续电流ID40A，并拥有超低导通电阻RD(on)仅为13mΩ，显著增强系统能效表现。广泛应用在高级电源管理、电机驱动控制等领域，是您优化电路设计、追求卓越性能的理想半导体组件。
