NTTFS4C10N_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/100.0A参数4：RDON/4.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTTFS4C10N N沟道MOS管采用业界领先的DFN3X3-8L封装形式，充分展现小型化、高集成度的优势。本器件的工作电压VDSS高达30V，可承载100A连续漏极电流，彰显卓越的电流处理能力。尤为突出的是其极低的导通电阻RD(on)仅为4mΩ，旨在优化电源效率，减少系统发热。此款MOS管凭借强大的性能指标，广泛应用于电源转换、马达驱动等高功率领域，为您的电子设计提供可靠高效的解决方案。
