SI7309DN-T1-E3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/60.0V参数3：ID/15.0A参数4：RDON/70.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7309DN-T1-E3 是一款采用DFN3X3-8L封装工艺的P沟道MOSFET，结构紧凑且性能强劲。该器件支持高达60V的工作电压VDSS，能有效处理15A连续电流，适应多种高电压、中等电流应用环境。特别值得关注的是其70mΩ的低导通电阻RD(on)，有助于减少系统能量损耗并提升工作效率。无论是用于电源转换、马达驱动还是其他要求严格的应用场合，SI7309DN-T1-E3 都将凭借出色电气性能及可靠品质，成为您的理想半导体解决方案。
