SISB46DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：N+N沟道参数2：VDSS/40.0V参数3：ID/40.0A参数4：RDON/7.2mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
SISB46DN-T1-GE3 是一款高性能NN沟道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封装，旨在满足现代紧凑型电路设计要求。器件特性包括最高漏源电压(VDSS)可达40V，提供40A的强大连续漏极电流(ID)，尤其出色的是其仅为7.2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，在高电流传输时有效减少功耗，提高能源效率。这款MOS管广泛应用在电源转换等领域的高频开关和大电流控制场合，是高效、节能解决方案的理想之选。
