FDMC8884_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/20.0A参数4：RDON/15.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
强力推荐MOS管FDMC8884 ，采用先进DFN3X3-8L封装工艺，小巧而高效。作为一款高性能N沟道器件，它具备30V的额定电压VDSS和高达20A的连续电流ID能力，其卓越的导通电阻仅为15mΩ，确保了更低功耗与更高能效转化率，是您电源管理、电机驱动等应用的理想选择。
