RQ3E130MN_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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RQ3E130MN 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封装，专为大电流、低阻抗应用设计。器件提供30V的漏源电压(VDSS)，在6mR的超低导通电阻(RD(on))下，能够承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等领域，凭借其出色的电流承载能力和卓越的能效性能，是优化系统效能、降低能耗的理想半导体元件。