IRFH3702PBF_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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IRFH3702PBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，满足现代化小型化电路设计要求。其拥有30V的最大漏源耐压(VDSS)，具备强大瞬态响应能力，可持续提供高达60A的漏极电流(ID)。尤为突出的是，导通电阻仅6mΩ(RD(on))，显著降低功率损耗，确保在大电流运行环境下也能保持高效能表现。本产品广泛适用于电源转换、马达驱动、高频开关等领域，为高端电子产品提供强劲动力支持。