AON7380_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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AON7380 是一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN3X3-8L先进封装，专为大电流、低损耗应用设计。器件具有30V的漏源电压(VDSS)，能在仅6mR的超低导通电阻(RD(on))下，承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，其卓越的电流处理能力和能效表现，使之成为优化系统性能、降低能耗的理想半导体元件。