SI7216DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：N+N沟道参数2：VDSS/40.0V参数3：ID/20.0A参数4：RDON/17.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7216DN-T1-GE3 型号MOS管是一款高性能NN沟道半导体元件，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为现代电子产品的节能与小型化设计。该器件具备40V的额定电压VDSS，能稳定承受20A的连续电流ID，突显出卓越的功率处理能力。同时，其17mR的超低导通电阻有效提升了能源效率，降低了系统损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，出厂前经过严格质检，确保在不同应用环境下都能展现卓越且稳定的性能表现。
