SI7216DN-T1-E3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：N+N沟道参数2：VDSS/40.0V参数3：ID/20.0A参数4：RDON/17.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7216DN-T1-E3 型号MOS管是一款高效率NN沟道半导体器件，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，尤其适合于空间有限的现代电子设计。器件具备40V的额定电压VDSS和高达20A的连续电流ID，充分展现了强大的电力处理性能。其17mR的超低导通电阻，进一步优化系统效率，减少能耗。该MOS管广泛应用于电源转换、马达驱动、电池管理系统等领域，出厂前经过严格质量检验，确保在各种严苛条件下仍能保持卓越稳定的表现。
