SIS413DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：DFN3X3-8L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：5000圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/55.0A参数4：RDON/8.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
SIS413DN-T1-GE3 P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为节省空间及高密度电路设计。本器件的核心参数优秀额定电压VDSS高达30V，提供稳定的30V电压下操作环境；支持高达55A的连续漏极电流，展现强大的电流处理能力；8mΩ的超低导通电阻RD(on)，确保高效能与低功耗运行。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是现代高效能电子产品的理想之选。
