SVD2955_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-252-2L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：2500圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/60.0V参数3：ID/10.0A参数4：RDON/125.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
SVD2955 是一款P沟道MOS管，封装形式为TO-252-2L，专为高效能电子设备提供卓越的功率管理解决方案。其具备60V的最高耐压值(VDSS)，能在苛刻条件下支持高达10A的持续电流流通，且导通电阻低至125mR(RD(on))，显著提升了整体能效和可靠性。这款MOS管凭借其出色的工作性能和紧凑型封装设计，适用于电源转换、负载开关以及其他中低压电路应用场合，是您的理想半导体组件选择。
