STD16NF06_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-252-2L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：2500圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/60.0V参数3：ID/20.0A参数4：RDON/27.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
STD16NF06 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型TO-252-2L封装，具备出色的散热性能和空间优化设计。器件在60V的最大漏源电压(VDSS)下，能承载高达20A的连续漏极电流(ID)，适合高压大电流应用场合。27mΩ的低导通电阻有助于提升系统能效，减少功耗损失。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是工程师打造高效节能电子产品的理想选择。
