ST16N10_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-252-2L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：2500圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/100.0V参数3：ID/15.0A参数4：RDON/100.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
ST16N10 N沟道MOS管，采用紧凑型TO-252-2L封装，适用于100V高电压环境下的中等电流应用。器件提供高达100V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)，确保在高电压系统中的稳定性能表现。其导通电阻RD(on)为100mR，尽管电阻值相对较高，但在合理电流范围内仍能维持高效能。广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域，是注重成本与性能平衡的优秀半导体组件。
