FDD8445_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-252-2L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：2500圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/40.0V参数3：ID/60.0A参数4：RDON/7.7mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD8445 是一款高性能N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，适用于各类高功率应用。器件亮点包括最大漏源电压(VDSS)高达40V，可轻松承载60A的连续漏极电流(ID)，并具有业界领先的7.7mΩ导通电阻(RD(on))，确保在大电流传输中实现极高的能效比。
