AOD210_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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AOD210 N沟道MOS管，封装采用小型高效的TO-252-2L，专为紧凑型设计和高功率应用打造。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并支持高达150A的连续漏极电流(ID)，展现强劲电力处理能力。尤其引人注目的是其行业领先的导通电阻仅为2mΩ(RD(on))，有助于大幅降低系统内阻损耗，提升整体效能。广泛应用在开关电源、高频开关电路、电动工具驱动等场景，是实现高效率、低功耗的理想半导体元件。