AOD442G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-252-2L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：2500圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/60.0V参数3：ID/50.0A参数4：RDON/15.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOD442G 是一款高效的N沟道MOSFET，采用小型化的TO-252-2L封装，专为空间有限的设计方案而优化。其关键性能指标包括最高承受60V的漏源电压，能够稳定处理50A的连续电流，尤其突出的是，仅有15mR的低导通电阻，确保在运行过程中能量损耗最小化，提升系统效率。广泛应用在电源转换、电机控制和其他高电流开关电路设计中，展现出卓越的性能表现。
