FDD6685_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-252-2L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：2500圆盘参数1：P沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/50.0A参数4：RDON/15.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD6685 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备良好的散热性能和易于焊接的特点。该器件在30V的最大工作电压下，能承载高达50A的大电流，且拥有仅为15mΩ的低导通电阻，确保高效能、低损耗的电力传输。
