IRFR120NPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-252-2L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：2500圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/100.0V参数3：ID/15.0A参数4：RDON/100.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFR120NPBF N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，专为中等电流、100V高电压应用环境设计。该器件具有高达100V的漏源耐压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)，确保在高压电路中稳定可靠工作。尽管导通电阻RD(on)为100mR，但凭借出色的电流承载能力和适用范围，它仍然在电源转换、电机驱动控制、电池管理等领域展现出较高的性价比。是工程师在设计中考虑性能与成本均衡的优选半导体元件。
