FDD6530A_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-252-2L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：2500圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/20.0V参数3：ID/20.0A参数4：RDON/16.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD6530A N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，具备优良的散热性能和高性价比。该器件支持20V的工作电压VDSS，能够稳定传输高达20A的漏极电流ID，尤其适用于中等电流应用场合。其导通电阻RD(on)低至16mΩ，有效降低功率损耗，提高系统效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电机驱动等领域，FDD6530A MOS管是中高功率设计的理想半导体元件。
