IRFR7546PBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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IRFR7546PBF 是一款高性能N沟道MOSFET，封装方式为经济实用的TO-252-2L规格，专为高功率密度和散热优化设计。本器件核心特性优越，能够承受60V的最大漏源电压(VDSS)，并支持高达80A的连续漏极电流(ID)，尤其突出的是其导通电阻仅为6.5mΩ(RD(on))，有助于显著减少能耗并提升工作效率。广泛运用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等多种领域，是实现系统高效节能的绝佳半导体元件。