IRLR2703_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-252-2L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：2500圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/30.0V参数3：ID/20.0A参数4：RDON/15.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRLR2703 是一款高性能N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，专为处理大电流和高效率应用而设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并且可以安全地传导高达20A的连续漏极电流，展现强大的电流传送能力。其亮点在于仅15mΩ的超低导通电阻(RD(on))，从而实现卓越的能源转换效率和减少功率损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、大电流开关电路等多个领域，是您构建高效、可靠电子系统的理想半导体组件。
