FDD5353_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-252-2L类别：场效应管(MOSFET)最小包装：2500圆盘参数1：N沟道参数2：VDSS/60.0V参数3：ID/50.0A参数4：RDON/11.0mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款MOS管型号为FDD5353 ，采用先进的TO-252-2L封装技术，属于高性能N沟道MOSFET器件。其拥有高达60V的漏源极电压额定值和强大的50A连续漏极电流能力，确保了在大电流环境下的稳定工作。导通电阻仅为11mΩ，有效降低了功率损耗，提升系统能效，特别适用于各类开关电源、电机驱动及电池管理系统等高要求应用场景。
