DMN2016UTS_TSSOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

DMN2016UTS 是一款高速、低阻抗的NN沟道MOSFET，采用节省空间的TSSOP-8封装，适合现代紧凑型电子设计。工作电压高达20V，能提供高达7.5A的连续电流，尤其适用于电源开关、负载驱动等场合。其卓越的导通电阻仅为11.5mΩ，极大地提升了系统效率并降低了功耗。选择DMN2016UTS MOS管，助您实现高性能、节能的电路设计。