IRFZ44NS-HXY_TO-263C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-263C类别：场效应管(MOSFET)最小包装：800圆盘参数1：N沟道参数2：电压VDS/55V参数3：电流ID/49A参数4：内阻R/12mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-263封装，具有55V高耐压及卓越的49A大电流处理能力。专为高性能、高功率开关应用设计，广泛应用于各类消费电子产品中，提供出色的能效与系统稳定性表现。
