HXY10N65F_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-220F类别：场效应管(MOSFET)最小包装：50管参数1：N沟道参数2：电压VDS/650V参数3：电流ID/10A参数4：内阻R/1050mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 该消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220F封装，额定电压高达650V，可承受10A连续电流，适用于高电压、大电流电子设备的电源转换和电机控制等应用，提供稳定可靠的高性能开关解决方案。
