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IRF640NPBF-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)封装:TO-220C类别:场效应管(MOSFET)最小包装:50管参数1:N沟道参数2:电压VDS/200V参数3:电流ID/18A参数4:内阻R/145mR标价:欢迎咨询

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产品介绍

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描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220封装,专为处理200V高电压、中大电流应用设计。额定连续电流18A,广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具备低导通电阻和卓越散热性能,是现代电子设备高效能功率控制的理想元件。

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