IRF640NPBF-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)封装：TO-220C类别：场效应管(MOSFET)最小包装：50管参数1：N沟道参数2：电压VDS/200V参数3：电流ID/18A参数4：内阻R/145mR标价：欢迎咨询
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产品介绍
描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220封装，专为处理200V高电压、中大电流应用设计。额定连续电流18A，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和卓越散热性能，是现代电子设备高效能功率控制的理想元件。
