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外媒:苹果启动长鑫存储DRAM芯片内部测试

2026-07-09 来源:电子工程专辑
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关键词: 苹果 长鑫存储 DRAM 存储芯片

据英国《金融时报》2026年7月8日援引知情人士消息,苹果已开启长鑫存储DRAM内存芯片内部测试,规划将该芯片搭载于面向中国市场发售的设备。同时,苹果牵头美国科技企业游说美国监管部门,希望放宽限制、实现更大范围使用长鑫存储芯片,但现阶段苹果尚未承诺将国产DRAM投入规模化量产。

CNBC援引《金融时报》报道)

相关消息于2026年6月底首次曝光,同期苹果还同步与长江存储洽谈NAND闪存采购事宜,两条国产存储供应链均针对国行设备布局,目前所有合作方案均未敲定最终协议。

存储结构性缺货

2025年起全球AI数据中心建设爆发,HBM高带宽内存需求倍数增长,三星、SK海力士、美光将大量先进产能转向利润更高的服务器级存储,消费级DRAM、NAND供给持续收缩,芯片价格失控上涨。

供应链分析师郭明錤指出,存储供需缺口将持续扩大至2027年,2026年分配给消费电子的内存产能,预计2027年将有15%至20%转移至数据中心。受LPDDR供应紧张拖累,苹果A20芯片2026下半年至2027一季度实际出货量,或较原定目标下滑10%至20%。此前苹果已因存储成本暴涨上调MacBook和iPad售价,成本与供货双重压力倒逼苹果寻找第二存储供应商。

(路透社报道苹果涨价)

分散供应链单一依赖

长期以来苹果DRAM全部采购自三星、SK海力士、美光三家企业,供应链高度集中,在涨价周期完全丧失议价权。郭明錤对比2022年苹果评估长江存储的行为表示,当年采购国产闪存核心目的是压低成本,本次对接长鑫存储核心诉求是管控供应风险,属于“不得不为”的战略布局。

为何布局长鑫存储?

美国银行研报明确提出,苹果布局长鑫存储核心商业考量之一,是将国产DRAM作为谈判筹码。在2026下半年至2027年与三星、SK海力士、美光洽谈供货合约时,借助国产备选供应商掌握议价主动权,对冲存储芯片持续涨价带来的成本压力。

即便长鑫存储仅能供给少量低端机型,也能缓解苹果单一货源断供风险。苹果国行设备单独导入国产存储方案,可分流跨洋物流、关税摩擦带来的供应不确定性,减少海外产能分配倾斜对国内市场机型出货的冲击。

另外,此前苹果曾因高度依赖亚洲制造供应链承受美国政策压力,引入国产存储可适度平衡供应链地域集中度。同时仅将国产芯片限定中国市场发售,能一定程度缓和美方监管层面的抵触情绪,平衡中美两地市场政策环境。

大规模商用难度高

地缘政策门槛:长鑫存储已被美国国防部列入“中国军事企业清单”,美国现行对华半导体出口管制形成硬性约束,苹果游说政策豁免存在极大不确定性,美国国会多名议员公开反对苹果接入中国存储供应链体系。

技术工艺差距:苹果LPDDR5X要求1.1V工作电压并搭载ECC纠错功能,长鑫存储现有芯片制程相对老旧,芯片寄生电容、漏电电流偏高,功耗、散热表现难以匹配iPhone高端机型严苛标准。

专利诉讼隐患:三星、SK海力士、美光持有海量DRAM核心专利,苹果若大规模采用长鑫存储芯片,极易卷入跨国专利侵权纠纷,带来巨额法务与赔偿成本。

变数仍然存在

在全球存储紧缺大环境下,多家海外终端厂商已开启国产存储验证,但普遍以NAND闪存为主,DRAM大规模合作案例极少。

另外,多数海外终端品牌仅小规模测试国产存储,不敢大规模落地。一方面受美国对华半导体管制政策制约,另一方面长鑫、长江存储产能优先供给国内互联网、终端头部企业,海外客户可分配产能有限。

整体来看,苹果是目前公开报道中,唯一主动游说美国政府、试图批量导入国产DRAM的国际头部消费电子巨头。截至目前,苹果、长鑫存储均未对相关测试与采购传闻作出官方回应,最终合作落地规模、导入机型仍存在极大变数。




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