SK海力士HBM混合键合良率取得突破，但成本挑战仍存

据韩媒thelec最新报道，在4月28日于首尔举行的一场半导体会议上，SK海力士技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）透露，公司应用于HBM的混合键合（Hybrid Bonding）技术良率较两年前已显著提升，12层堆叠产品的验证工作已经完成，目前正致力于提升大规模生产的产量。

随着HBM技术的演进，堆叠层数不断增加，工艺复杂性也急剧上升，从而推动了封装技术的持续创新。HBM封装技术已从采用非导电薄膜的热压成型（TC-NCF）发展到磁阻混合薄膜（MR-MUF），最终迈向混合粘合。每一步都有效减少了翘曲变形，提高了生产效率。

混合键合被视为下一代HBM封装的重要技术。与目前主流的、依赖微米级金属凸块（Bump）进行连接的热压键合（TC-NCF）及大规模回流注塑底部填充（MR-MUF）技术不同，混合键合是一种“无凸点”技术。它通过原子级别的工艺，直接将上下两层芯片的铜（Cu）焊盘进行连接。

业内人士预计，混合键合技术将从HBM4开始引入。随着16层HBM产品进入商业化阶段，这项技术可能会从今年下半年或明年开始逐步部署。

金钟勋在会议上表示，虽然无法透露具体数字，但混合键合技术“比过去准备得更加充分”。他表示，与现有方法相比，混合键合技术能够实现更精细的互连间距。作为当前HBM市场的霸主，SK海力士市占率超过70%，其技术路线的选择对整个行业具有风向标意义。

尽管技术前景广阔，但SK海力士也清醒地认识到，从实验室走向大规模量产仍面临严峻挑战，其中最大的障碍便是成本。金钟勋明确指出：“不仅技术战略很重要，价值也很重要。”在当前发展阶段，混合键合的经济可行性仍然是一个主要障碍。

为此，SK海力士采取了务实且灵活的“双轨”策略。一方面，公司将继续深耕并优化其现有的MR-MUF技术。目前，SK海力士已具备使用MR-MUF工艺生产高达16层HBM3E产品的能力，并能满足客户对封装高度的要求。MR-MUF技术通过在热压键合过程中引入特殊的保护材料，有效缓解了芯片翘曲和损坏问题，是目前兼顾性能与成本的成熟方案。

另一方面，公司并未放慢对混合键合的研发与导入步伐。行业普遍预测，混合键合技术将从HBM4代产品开始引入，并可能在2027年（明年）逐步实现商业化部署。SK海力士的良率提升，正是为这一代际切换做技术储备，以确保在下一代技术竞争中不落下风。