韩美半导体将推出第二代混合键合机原型

韩美半导体（Hanmi Semiconductor ）宣布，公司已巩固其在HBM（高带宽存储器）市场热压键合机领域的领先地位，并将积极响应市场对混合键合技术的需求。该技术预计将于2029年实现量产。

韩美半导体表示，公司将于年内推出用于下一代HBM生产的“第二代混合键合机”原型机，并开始与客户合作。此外，公司还计划于明年上半年启动其混合键合机工厂的运营。

此前，韩美半导体于2020年抢先竞争对手推出了“用于HBM生产的第一代混合键合机”，从而积累了核心技术和验证经验。第二代设备融合了第一代设备的研发经验和基础技术，在纳米级精度、工艺稳定性、良率等方面进一步提升。韩美半导体还与多家韩国半导体设备公司在等离子体、清洗和沉积技术方面开展紧密合作，以推进混合键合技术的发展。

混合键合技术直接将芯片和晶圆的铜互连线键合在一起。它无需传统的焊球，即可在降低封装厚度的同时，提升散热性能和数据传输速度，因此是20层及以上高堆叠HBM封装的必要技术。

韩美半导体也在加速建设下一代设备生产所需的基础设施。该公司自去年起在仁川广域市西区朱安国家产团建设一座混合键合工厂，总投资1000亿韩元（约合3400万美元），建筑面积14570平方米，地上两层，预计将于明年上半年竣工。

工厂内部将建成一个与半导体前端工艺所用洁净室级别相当的顶级“100级”洁净室。该洁净室将采用先进的空气处理技术，将空气中的粉尘从上层向下输送，并通过墙壁和地板立即吸走，从而营造出适合纳米级超精密工艺的洁净环境。（校对/赵月）