三星电子：2026年出货由HBM4主导 HBM5将采用2nm制程

韩媒最新报导指出，三星电子正加速推进下一代高频宽存储布局，在HBM4 今年正式进入量产的同时，已将目光投向更远一代产品，打算将HBM5 基片工艺从4 nm提升至2 nm，并以1d DRAM 作为HBM5E 的核心堆叠存储。这一战略部署显示三星在AI 存储市场的强势扩张意图，对高端DRAM 供应格局及下游AI 加速器供应链具有深远影响。

综合《韩联社》、《ETNews》与《SEDaily》报导、三星存储开发负责人、副总裁Hwang Sang-jun 在辉达GTC 大会上披露了详细规划。他明确表示，HBM5 的基片将采用三星晶圆代工的2 nm制程，较HBM4 及HBM4E 所用的4 nm制程实现跨代升级，以满足下一代AI 工作负载对存储性能的更高要求。此举虽让成本上升，但为达成HBM 的目标性能，引入先进制程已成为不可避免的技术路径。

产能目标方面，Hwang Sang-jun 透露，三星今年拟让HBM4 在全部HBM 出货中的占比超过50%，同时整体HBM 产量较去年提升逾三倍。 HBM4 今年才正式进入量产阶段，这一积极目标显示三星正全力扩充产能来匹配AI 芯片市场对高频宽存储持续攀升的需求。若此计划落实，将对全球高端DRAM 市场供应格局产生实质影响。

在HBM5E 层面，技术蓝图更为前瞻。据披露，该产品将以1d DRAM 作为核心堆叠存储，相较于HBM4 及HBM4E 所采用的1c DRAM 再度升级。目前1d DRAM 仍处于三星内部研发阶段，但知情人士透露已取得较好的性能表现与测试良率，显示出向量产推进的积极信号。

除存储业务外，三星正通过代工Groq 3 推理芯片扩展在AI 加速器产业链中的定位。 Groq 3 正在三星平泽园区生产，量产目标定于今年第三季底至第四季初，当前订单量已超出预期。

Groq3 裸片面积超过700 平方毫米，每片晶圆仅可切出约64 颗芯片，远低于通常的400 至600 颗。该芯片约70% 至80% 的面积由SRAM 构成，可在片上完成快速推理运算，无需依赖外部HBM。

市场分析指出，三星代工Groq 3 LPU 芯片被视为其成为下一代AI 加速器全栈平台核心合作伙伴的重要标志。在三星晶圆代工部门进入辉达供应链之后，三星的角色已从单纯的存储供应商，延伸至LPU 制造领域，与辉达生态系统的合作深度进一步扩展，此举意味着三星正从零件供应商朝着全栈式AI 解决方案提供者转型。

这一战略转型恰逢AI 计算需求爆发的关键时期。随着大模型和生成式AI 应用快速普及，对HBM 和专用推理芯片的需求呈现指数级增长。三星通过存储技术迭代与代工业务扩张的双轮驱动，正在构建从存储到计算的完整AI 硬体生态体系。

观察人士认为，三星的布局反映了半导体产业垂直整合的趋势。通过将先进内存技术与晶圆代工能力相结合，三星有望在AI 芯片市场获得更强的话语权。

不过，这一战略也面临诸多挑战，包括技术研发的高投入、产能扩张的执行风险，以及日益激烈的市场竞争。

随着HBM4 量产爬坡和HBM5 技术开发同步推进，三星在高阶AI 存储领域的领先优势有望进一步扩大，而透过代工业务切入AI 推理芯片市场，则为其打开了新的增长空间。该公司的转型成效将对全球半导体产业格局产生深远影响。