SK海力士全球首发1c工艺LPDDR6，性能狂飙33%

3月10日，韩国存储巨头SK海力士正式宣布，成功基于其最先进的第六代10纳米级（1c）工艺，开发出全球首款16Gb LPDDR6 DRAM内存产品。

该公司表示，目前已完成该产品的开发验证工作，计划于2026年上半年全面完成量产准备，并于下半年正式启动供货。这将进一步丰富SK海力士面向AI应用优化的DRAM产品线，巩固其在高端移动存储市场的领导地位。

LPDDR（低功耗双倍数据速率）内存一直是移动设备的“心脏”，其性能直接决定了设备的响应速度与续航能力。从LPDDR1到LPDDR5X，每一代标准的迭代都伴随着移动生态的繁荣。而此次LPDDR6的问世，则是为了应对生成式AI在端侧部署带来的严苛挑战。

SK海力士此次采用的1c（1γ）工艺节点，是其第六代10纳米级DRAM制造技术。相比竞争对手三星电子目前采用的12纳米制程，SK海力士在制程微缩上显然快人一步。这种先进的工艺不仅提升了晶体管的密度，更为降低功耗和提升速度奠定了物理基础。

根据官方公布的数据，这款1c LPDDR6产品在关键指标上实现了对上一代LPDDR5X的全面超越。

在速度方面，得益于带宽的大幅扩展和单位时间内数据传输量的激增，新产品的数据处理速度较LPDDR5X提升了33%。其基础工作速度已突破10.7 Gbps，而其单引脚传输速率更是高达14.4 Gbps。这一数值对应了JEDEC规范中LPDDR6标准的最高速档，意味着SK海力士在标准频率范围内已近乎“跑满”极限。

在能效方面，面对移动设备对续航的极致追求，SK海力士引入了两项关键技术：子通道结构与DVFS（动态电压频率调整）技术。子通道结构允许芯片选择性仅激活必要的数据路径，避免了无效功耗；而DVFS技术则能根据芯片实时的运行环境，动态调整电压与频率。

“这是一种智能的功耗管理策略，”SK海力士技术人员解释道，“在高规格游戏或端侧大模型推理等高性能场景下，设备可自动提升DVFS等级以释放最大带宽性能；而在日常浏览、待机低功耗场景中，则自动降低频率与电压，从而节省每一分电量。”实测数据显示，新一代产品的整体功耗较前代降低了超过20%。

随着SK海力士细节的披露，三星的压力随之而来。相比之下，三星16Gb LPDDR6速率为12.8Gbps。三星本代产品采用12nm制程，略次于SK海力士的10nm级别，但三星强调其新一代LPDDR6相较前代LPDDR5X可实现21%的能效提升。此外，三星LPDDR6使用NRZ信号进行I/O传输，并采用12DQ子通道架构。

业内分析指出，LPDDR6的量产不仅仅是参数的提升，更是端侧AI普及的关键基础设施。随着手机端侧大模型、实时视频处理、高帧率云游戏等应用的爆发，传统内存带宽已成为瓶颈。LPDDR6提供的超高带宽和超低功耗，将使得在手机本地运行更复杂的AI模型成为可能，同时保证设备不发烫、不掉电。

SK海力士表示，随着下半年正式供货，这款内存将迅速被旗舰智能手机和高端平板电脑采纳。