三星HBM4通过内部认证，加速抢夺英伟达订单

近日，三星电子HBM4芯片已成功通过量产准备认证（PRA），标志着该产品正式达到内部量产标准，并正全力冲刺英伟达的最终质量测试（Qualtest），为进入下一代GPU“Rubin”供应链铺平道路。

长期以来，SK海力士凭借先发优势牢牢掌控HBM供应命脉。在与英伟达就HBM4的谈判中，该公司展现出极强的议价能力，成功将单价推高至“500美元中半带”——较HBM3E上涨逾50%。这一价格不仅被英伟达最终接受，更反映出SK海力士在技术、产能与客户信任上的综合壁垒。

为支撑更高性能，SK海力士甚至将原本自主生产的基础裸片（Base Die）转交台积电代工，采用先进逻辑制程以优化能效与信号完整性，进一步巩固其产品竞争力。

相比之下，三星电子在HBM4初期遭遇挫折。此前因未能通过英伟达严苛的质量测试，其供货计划一度受阻，被迫回炉优化设计，重点攻克散热与TSV（硅通孔）对准精度等关键瓶颈。

然而，凭借对1c节点DRAM工艺的持续打磨，以及将基础芯片升级至4纳米逻辑制程，三星显著提升了HBM4的整体能效比与稳定性。此次通过PRA，被视为其技术短板补齐的重要节点，也为赢得英伟达“第二供应商”身份打开窗口。

对英伟达而言，引入三星作为HBM4的备选供应商具有战略必要性。一方面，单一依赖SK海力士导致采购成本高企，削弱其毛利率；另一方面，随着Rubin GPU计划于2025年下半年量产，HBM需求将激增，多源供应可有效缓解产能风险。

黄仁勋此前已公开表示：“三星的HBM显存芯片测试合格，合作进展顺利。”此番表态释放出明确信号：英伟达正积极推动供应链多元化。

HBM4本身的技术跃迁也为竞争加码。其I/O通道数从HBM3E的1024个翻倍至2048个，带宽大幅提升，但同时也带来更高的功耗与热密度。这要求厂商在材料、封装、散热及基础芯片设计上实现系统级协同。三星此次突破，正是基于全栈技术整合能力的体现。

若三星成功打入英伟达HBM4供应链，不仅将重塑市场供需平衡，还可能抑制SK海力士的进一步提价空间。尽管后者凭借先发优势仍占据主导，但三星的加入将增强买方议价能力，推动HBM市场从“卖方市场”向“竞合市场”过渡。

长远来看，美光亦计划于2025年量产HBM4，并同样瞄准台积电代工基础芯片，未来HBM市场或形成“三足鼎立”之势。但在2025年关键窗口期，谁能率先稳定供货、保障良率，谁就将掌握AI硬件生态的话语权。

责编：Jimmy.zhang