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PL469N4G3 40VDS/±20VGSN-Channel Shield Trench Power MOSFET

2025-11-21 来源: 作者:深圳市佰泰盛世科技有限公司
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关键词: PL469N4G3 N沟道屏蔽沟槽功率MOSFET 低导通电阻 高电流能力 电源管理

PL469N4G3  40VDS/±20VGSN-Channel Shield Trench Power MOSFET

1、Features

VDS=40V,ID=69A

RDS(ON)=3.6mΩTYP.VGS=10V,ID=20A

RDS(ON)=4.8mΩTYP.VGS=4.5V,ID=20A

Reliable and Rugged

Avalanche Rated

Low On-Resistance

High Current Capability

Halogen and Antimony Free,Rohs compliant

2、Applications

Load Switch

Power management in portable/desktop PCs

DC/DC conversion

3、Website:www.baitaishengshi.com

4、PDFN3030



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