三星电子与SK海力士已率先缩减NAND Flash晶圆产量。SK海力士2025年NAND晶圆出货量预计从2024年的201万颗降至180万颗，降幅近10%。三星电子则通过内部调整产能结构，减少库存并为价格谈判创造空间。报道引述业内人士称，此举旨在“推高合约价格并稳定利润率”，尤其在市场出现价格回升迹象的背景下。
据韩国《朝鲜日报》（ChosunBiz）报道，全球主要存储芯片厂商包括三星电子、SK海力士、铠侠及美光科技，正计划于2025年下半年集体削减产量，以推动市场价格回升。此举被视为行业摆脱两年价格低迷、迈向周期性复苏的关键信号。
韩媒披露：韩国厂商主动控产稳价
三星电子与SK海力士已率先缩减NAND Flash晶圆产量。SK海力士2025年NAND晶圆出货量预计从2024年的201万颗降至180万颗，降幅近10%。三星电子则通过内部调整产能结构，减少库存并为价格谈判创造空间。报道引述业内人士称，此举旨在“推高合约价格并稳定利润率”，尤其在市场出现价格回升迹象的背景下。
《朝鲜日报》报道称，去年价格长期徘徊在成本水平的三星电子、SK海力士和铠侠正致力于推动NAND价格上涨。据悉，三星电子在与主要海外客户商讨明年NAND供应量的同时，内部正在审议20%至30%甚至更高幅度的涨价方案。
根据市场研究机构Omdia12日发布的年度NAND闪存产量数据，三星电子已将今年NAND晶圆产量目标下调至约472万片，较上年度的507万片减少约7%。铠侠的产量也从去年的480万片调整至今年的469万片。Omdia预计，三星电子和铠侠的减产态势将持续到明年。
SK海力士和美光也采取保守策略限制产量，以期从价格上涨中获益。美光情况类似，其最大的NAND生产基地——新加坡Fab 7工厂的产量维持在30万片左右的较低水平，供应策略保守。
价格回升趋势显现
随着主要供应商协同控制产量，NAND产品的平均售价（ASP）正急剧上升。海外市场研究机构观察显示，仅上一季度就上涨15%的NAND价格，未来可能再飙升40%至50%以上。根据TrendForce数据，应用最广泛的512Gb三层单元（TLC）NAND芯片的晶圆现货价格较前一周上涨14.2%，达到5.51美元。现货价格反映流通市场的即时交易价格，其上涨意味着产品获取难度增加。
基于TLC的NAND供应量萎缩，也意味着主要NAND供应商正将重心转向利润率更高的QLC而非TLC。QLC和TLC指的是NAND闪存基本存储单元（Cell）所能存储的比特数。TLC每单元存储3比特，而QLC每单元可存储4比特。在相同面积下，QLC能比TLC多提供30%的容量，这对于制造AI数据中心所需的大容量固态硬盘（SSD）更为有利。
一位行业人士解释道：“在将现有基于TLC的NAND生产线转换为AI数据中心SSD所必需的QLC工艺过程中，部分TLC NAND生产设备会暂停，这在四大供应商中都自然产生了减产效应。”他补充说，“在设备转换和工艺过渡期间产生的产量‘损失’导致市场价格飙升，这是行业惯例。”
TrendForce集邦咨询的调查显示，尽管2026年DRAM与NAND Flash的资本支出预计将继续增长（DRAM资本支出预计增至613亿美元，年增14%；NAND Flash资本支出预计增至222亿美元，年增约5%），但投资重心已从传统的产能扩张，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM（高带宽内存）等高附加价值产品。这种转变，加之无尘室空间不足等物理限制，导致新增资本对实际位元产出增长的贡献非常有限。各大厂商策略分化明显，例如美光、SK海力士和三星的资本支出主要投向HBM4、1 gamma等先进制程；而铠侠/闪迪则因专注于NAND业务，在扩产上相对积极。
这种结构性转变意味着2026年存储市场的供不应求状态很可能将持续全年。驱动需求的核心因素是AI应用对存储容量需求的急速攀升（如AI服务器需求爆发）以及HDD供应短缺导致的替代效应。因此，当前的供应紧张并非短期波动，而是由AI驱动的一次结构性短缺，预示着存储市场可能进入一个由高附加值产品和技术升级主导的新周期。
监管与市场风险仍待观察
此前有报道称，总部位于美国的闪迪（SanDisk）从本月起已将NAND产品合约价格上调了约50%。由于北美大型科技公司担忧NAND价格大幅上涨而进行“恐慌性采购”，有分析认为明年的NAND供应量或已被预订一空。
三星、SK海力士等巨头通过“战略性减产”推动价格反弹，旨在摆脱两年利润低谷。
尽管减产有助于厂商恢复盈利，但全球监管机构可能关注是否存在“协同行为”。四大厂商合计掌握90%以上DRAM与NAND产能，其同步控产或引发供应波动。欧盟与美国此前已在半导体价格协调领域展开调查，若价格飙升过快，或触发监管介入。
责编：Amy.wu
