HBM堆栈层数增加，传旺宏下季度NOR Flash涨价30%

旺宏（2337）搭上AI催动存储器升级大商机，随AI服务器搭载的高带宽存储器（HBM）规格从HBM3E走向更高规的HBM4 ，由于HBM4堆栈层数增加，推升编码型快闪存储器（NOR Flash）用量激增五成，使得NOR Flash供给开始出现紧张状况，主力供应商旺宏传因此调高明年首季报价三成。

近期存储器市场火热，DDR4、DDR5价格涨翻天，储存型快闪存储器（NAND Flash）市场一片向好，随着NOR Flash跟上涨价潮，更加确立产业景气欣欣向荣。

旺宏不回应市场传闻，董事长吴敏求昨（10）日出席「成电论坛」受访时强调，AI确实带动存储器市场向上，旺宏近期也感受到需求与价格走扬，尤其NOR Flash也大量用于服务器与数据中心，除了现阶段的主流产品512Mb，有开始出现1Gb至2Gb的高容量需求，对旺宏有利。

外界以「进入超级循环周期」来形容存储器市场现况，向来保守的吴敏求认为目前仍难断言。他强调，价格确实在涨，也确实有缺货现象，但要说缺口多大、能维持多久，现在都言之过早。

吴敏求分析，过去数据中心以CPU为核心，如今转向GPU架构后，运算效能大幅提升，各大云端服务供应商（CSP）正展开数据中心改造计划，这波AI热潮能延续多久，仍需观察各家投入AI的动能。

吴敏求透露，旺宏NOR Flash产品近期在服务器与数据中心应用出现回温迹象，主要需求集中在512Mb，也有1Gb至2Gb高容量需求，预期随着带宽扩大、数据传输速率提升，未来3D NOR技术也将成为关键。

供应链指出，针对生成式AI、高效能运算（HPC）、高阶显卡和服务器等需要高效处理大型数据集和复杂运算的应用，HBM4的特性和功能至关重要。进一步来看，HBM4是目前HBM3标准的进阶版，提高了数据处理速度，同时保持更高的带宽、更低的功耗，相较于HBM3，HBM4每个堆栈的通道数将增加一倍，因此实体占用空间更大。

随着AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4，堆栈层数增加的趋势下，推升市场对NOR Flash用量提升约50%，旺宏订单满手，将在明年首季调涨NOR Flash报价，涨幅上看三成，为业绩吞下大补丸。

业界认为，HBM4作为新一代HBM核心升级，系统性能提升之际，也为NOR Flash带来结构性需求机会，旺宏作为全球主力NOR Flash供应商，直接受惠。