供应严重短缺，三星和SK海力士计划将DRAM价格上调30%
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近日，半导体业界普遍预测，由人工智能（AI）引发的内存半导体超级周期将比以往任何一次繁荣期更为持久和强劲。随着AI服务器的新增投资、普通服务器内存的替换需求以及设备端AI（在设备上自主运行的AI）设备的增长，市场预计将面临长达3至4年的“供应短缺”局面。
据半导体业界消息，三星电子、SK海力士等主要内存供应商正计划在今年第四季度将DRAM和NAND供应价格上调最高30%，并向客户提出这一方案。全球投资银行如花旗、摩根士坦利等在最近的半导体产业分析报告中，将第四季度DRAM平均销售价格（ASP）预测的上涨幅度上调了10个百分点以上，预计最高可达25%至26%，进一步加剧了价格上升的预期。
支撑这一超级繁荣论的基础是“AI内存需求增加”。谷歌、微软、亚马逊、Meta、OpenAI等大型科技公司纷纷投入数十至数百亿规模的AI数据中心建设，导致对AI服务器专用的大容量、高性能DRAM——高带宽内存（HBM）的需求激增。半导体业界预计，到2030年，HBM市场规模将达到今年的三倍，达到1000亿美元。
此外，HBM的盈利能力也相当可观。预计明年开始大规模供货的HBM4（第六代HBM）12层产品，单价高达500美元，比HBM3E（第五代HBM）12层产品（约300美元）高出60%以上。美光科技的首席业务官Sumit Sadana在最近的一次采访中表示：“HBM所需的晶圆（半导体基板）容量是标准DRAM的三倍以上。”他还指出，“由于工厂扩建需要时间，极端的供应短缺情况将在明年进一步加剧。”（校对/赵月）
