三星HBM4E拟实现3.25TB/s传输速度，2027年量产
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三星电子已将其第七代高带宽存储器（HBM4E）的目标带宽设定为每秒3TB以上，并计划于2027年实现量产。该公司计划将每针脚的传输速度提升至每秒13Gbps以上，最高可达3.25TB/s，是当前第五代HBM3E的2.5倍。鉴于英伟达要求明年推出的第六代HBM4提升带宽，这一发展将加剧下一代HBM的速度竞争。
当地时间10月14日，在圣何塞会展中心举行的开放计算项目（OCP）2025全球峰会上，三星电子公布了正在研发的HBM4E的目标带宽，目标是在2027年实现超过13Gbps的引脚速率。HBM4E拥有2048个引脚，换算成字节（1字节等于8位）即可达到3.25TB/s。同时，三星电子还表示，HBM4E的能效将是目前HBM3E的两倍以上，HBM3E的能效为3.9 pJ/bit。
这是自今年1月在旧金山举行的ISSCC 2025峰会以来，三星电子首次公开HBM4E的目标带宽。当时，三星电子将HBM4E的目标带宽较去年的计划提高了25%，达到每引脚10Gbps，传输速度为2.5TB/s。然而，今年年中，情况发生了变化。HBM的最大消费者英伟达要求提高 HBM4 的带宽，以用于其下一代 AI 加速器“Vera Rubin”。
根据国际半导体标准组织（JEDEC）的规范，HBM4的带宽为每针8Gbps，总计2TB/s。然而，英伟达向内存制造商三星电子、SK 海力士和美光提出了每针10Gbps以上的要求。为此，三星电子将HBM4的针脚速度提升至11Gbps，SK 海力士也成功实现了相应的速度。尽管有分析认为美光在带宽提升方面举步维艰，但美光最近在财报中宣布已向“主要客户”（英伟达）交付了11Gbps带宽的HBM4样品，这缓解了外界的担忧。
由于第六代HBM4在量产前就实现了高于预期的带宽，半导体行业普遍预期下一代HBM4E的带宽将高于最初的计划。（校对/李梅）
