JSM2008STR PBF250V 集成自举带 SD 功能的半桥驱动芯片
关键词：杰盛微半导体JSM2008STR半桥驱动芯片高压MOSFET驱动应用场景
在功率电子领域，半桥驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接决定了整个系统的稳定性、效率与可靠性。杰盛微半导体推出的JSM2008STR作为一款 250V 集成自举带 SD 功能的半桥驱动芯片，不仅继承了 IRS2008STR 的核心优势，更在兼容性与实用性上实现了无缝替代，成为高压 MOSFET 驱动场景的理想选择。本文将基于数据手册，从性能特性、电气规格、设计要点到应用场景进行全面解析。
一、产品概述
JSM2008STR 是一款专为高压、高速功率 MOSFET 设计的高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺实现单芯片集成，具备独立的高侧和低侧参考输出通道。其核心优势在于能通过浮动通道驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V，完全满足中高压功率转换场景的需求。
从实用性来看，芯片采用 SOP-8 封装，体积小巧便于 PCB 布局，且能在 - 40℃至 125℃的宽温度范围内稳定工作，无论是严寒的工业环境还是高温的家电内部，都能可靠运行。更重要的是，其逻辑输入电平兼容 3.3V、5V 和 15V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出，无需额外电平转换电路，简化了与控制芯片的接口设计。
二、核心产品特性
1.高压兼容与自举设计：支持自举工作的浮地通道，最高工作电压 250V，Vs 负偏压能力达 - 9V，dVs/dt 耐受能力可达 50V/ns，适应高压瞬态环境。
2.逻辑与保护功能：兼容 3.3V、5V、15V 输入逻辑；集成 VCC 欠压锁定电路（正向阈值 8.9V，负向阈值 8.2V），防止欠压损坏；具备防止直通保护，死区时间典型值 520ns。
3.高速驱动性能：开通 / 关断传输延时（Ton/Toff）典型值为 650ns/130ns，延迟匹配时间 50ns，输出级拉电流 / 灌电流能力达 300mA/600mA，驱动响应迅速。
4.宽温与可靠性：工作温度范围 - 40℃~125℃，符合 RoHS 标准，ESD 人体放电模式耐受 1500V，机器放电模式耐受 500V。
三、引脚功能描述
四、关键电气规格
4.1极限工作范围(环境温度 25℃，以 Vss 为参考)
4.2 推荐工作范围
4.3 动态与静态特性（VCC=VB=15V，TA=25℃）
五、应用范围
JSM2008STR 凭借优异的性能，广泛适用于：
家电领域：空调、洗衣机的电机控制，通过稳定驱动功率 MOSFET 实现精准调速；
能源设备：不间断电源（UPS）、通用逆变器，保障高压功率转换的高效与可靠；
工业驱动：各类逆变器驱动系统，满足工业场景对高可靠性的需求。
作为 IRS2008STR 的完美替代方案，JSM2008STR 在引脚定义、封装规格、电气性能上完全兼容，无需修改 PCB 布局即可直接替换，大幅降低升级成本与开发周期。
总结
JSM2008STR 以 250V 高压兼容、多重保护机制、高速驱动性能和完善的设计支持，成为高压半桥驱动场景的优选芯片。无论是新方案设计还是旧产品升级，它都能提供稳定可靠的驱动能力，助力工程师打造高效、安全的功率电子系统。如需更多技术细节，可访问杰盛微半导体官网（www.jsmsemi.com）获取完整数据手册。
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