三星电子将从16层HBM开始逐步引入混合键合技术

三星电子预计将从16层高带宽存储器（HBM）开始逐步引入混合键合技术。

7月22日，在京畿道城南市韩国半导体产业协会举办的“商用半导体开发技术研讨会”上，三星电子DS部门半导体研究所下一代研究团队常务董事金大宇表示：“一旦HBM超过16层，现有的热压键合（TC）将无法实现”，并表示“我们正准备从16层HBM开始引入混合键合”。

HBM是一种将多个DRAM垂直堆叠以提高数据处理速度的半导体。键合是连接DRAM的工艺，而TC键合机是该工艺中必不可少的HBM制造设备。

随着下一代HBM层数的增加，需要努力缩小堆叠间隙。因此，混合键合的引入正在被讨论中。混合键合是一种消除现有微凸块（焊球）并将DRAM直接连接到铜的技术，其优势在于可以减少HBM的厚度。

三星电子表示，其将在16层的第7代HBM“HBM4E”中同时采用TC键合和混合键合技术，并将从20层的第8代HBM“HBM5”开始全面量产。

目前已商业化的最新HBM产品是第5代“HBM3E”，其堆叠层数最高可达12层。据推测，其将沿用现有技术，直至第6代HBM的16层“HBM4”，并从第 7 代产品开始逐步引入下一代技术。

金副社长表示：“如果间距小于15μm，我们将不得不转向不使用焊料的混合键合技术”，并且“混合键合还具有散热性好的优势，因此我们正在积极研究。”