英诺赛科扩产：8英寸氮化镓晶圆产能年底将达到每月20000片

7月14日消息，作为中国乃至全球氮化镓（GaN）功率半导体领域的领军企业，英诺赛科（Innoscience）近期宣布其8英寸氮化镓晶圆产能将在年底从目前的13000片/月提升至20000片/月。这一产能提升计划是公司中长期战略的一部分，其目标是在未来五年内将月产能进一步扩大至70000片/月，是当前水平的五倍以上。

这一增长得益于公司在8英寸晶圆制造工艺上的成熟化，以及对良率的持续优化，也体现了英诺赛科在技术创新和产能扩张方面的持续投入。根据此前公开资料，英诺赛科的晶圆良率超过95%，显著高于行业平均水平。

在晶圆尺寸方面，相较于8英寸晶圆，12英寸晶圆的芯片产出数增加了2.3倍，但维持稳定的良率和实现成本效益的稳定量产仍面临挑战。目前，全球范围内尚未有公开宣布已推出支持12英寸氮化镓外延的解决方案的MOCVD设备厂商。因此，英诺赛科强调，公司将聚焦8英寸产线工程化的成熟度，再逐步推进12英寸产线，预计到2030年才能实现商业化。

在产能扩张的同时，英诺赛科也注重产品迭代和市场拓展。公司计划通过提升产能和优化产品结构，在性能和成本方面显著超越传统硅基功率半导体，为客户提供最多40%的性能提升和30%的成本节省。目前，英诺赛科的产品线覆盖了从晶圆制造到分立器件、智能氮化镓IC、驱动控制芯片和氮化镓功率模块等多个领域。其产品广泛应用于消费电子、可再生能源、工业控制、汽车电子和数据中心等终端市场。

英诺赛科（Innoscience）是一家专注于第三代半导体硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术的高新技术企业，致力于推动氮化镓功率器件在多个领域的广泛应用。公司成立于2015年12月17日，总部位于中国珠海，并在苏州设有生产基地。英诺赛科采用IDM（设计-制造-封测一体化）全产业链模式，建立了全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆量产线，具备从设计、研发、生产到销售的完整产业链能力。英诺赛科于2024年12月30日正式在中国香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码为02577.HK ，成为全球首家实现8英寸硅基氮化镓（GaN）晶圆大规模量产的IDM企业。