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5年时间,三星要将3D NAND闪存,堆叠到1000+层
2024-01-15 来源:科技专家
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关键词:晶圆存储芯片SK海力士

众所周知,逻辑芯片技术前进方向是工艺越来越小,所以我们看到台积电等厂商,将芯片工艺不断的前进,从28nm,到22nm,14nm,再10nm、7nm……3nm。


目前有两大晶圆厂商已经实现了3nm,那么接下来就是2nm、1.4nm、1nm……


但3D NAND存储芯片不一样,厂商们测试发现,当NAND芯片的制程工艺进入到18nm之后,就无法再微缩下去了,不能说再推进到14nm,10nm,7nm等,不是技术不行,而是有其它问题。


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厂商们发现,当芯片工艺到了18nm之后,再微缩的话,3D NAND闪存就会不稳定,工艺越先进,越不稳定,而对于存储芯片而言,最重要的就是数据安全,不稳定的芯片,这肯定是不行的。


所以我们看到,这些闪存芯片厂商们,在18nm之后,就不再执着于推进芯片工艺,而是转向了另外一条路,那就是多层堆叠,像盖房子一样往上多盖层数,堆叠的层数越高,存储密度越高,读写速度越快。


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所以后来,这些3D NAND厂商们,就主攻堆叠技术,在2016年实现了64层堆叠后,之后就进入了堆叠的高速通道。


以三星为例,2018年实现96层,2019年实现128层,2021年实现176层,2022年搞定236层,速度越来越快。其它存储芯片厂商和三星进度稍不一样,但大差不差,基本处于同一水准。


而国产厂商长存,也在2022年搞定了232层堆叠技术,并且是全球第一家量产的厂商,打破了三星、SK海力士、美光的垄断。


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在这样的压力之下,三星等巨头,肯定也是想不断突破,拉开与其它厂商的差距,这不三星近日有了一个3D NAND闪存的堆叠技术计划。


按照三星的计划,2024年是V9版本,310层堆叠技术,然后不断前进,到2030年时,推出V13版本,实现1058层堆叠,到2031年时,是V14版,1428层堆叠……


不过,3D NAND闪存要堆叠,也没有想象中的那么简单,毕竟堆叠层数越多,芯片的厚度就越高,这些问题要怎么解决,还需要三星等厂商,一步一步往前去研究。



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